16层以上高堆叠产品的混合键合凉K海需求并不紧迫，HBM4已放宽至775微米。力士届时必须采用混合键合以实现更高密度连接。急刹在封装内部加入独立热柱，用不也悬两家公司计划从HBM5开始应用各自方案。混合键合凉K海

散热问题也有了更简单的力士替代方案。

目前客户和内存制造商并未积极讨论16层HBM的急刹问题。将电绝缘、用不也悬导热硅冷却元件嵌入D2D PHY层，混合键合凉K海

混合键合技术直接连接DRAM芯片间的力士铜线，当前HBM4的急刹I/O数量已翻倍至2048个。JEDEC正在讨论将HBM5的用不也悬厚度标准从当前的775微米放宽至最高约1000微米。

而HBM3E标准厚度为720微米，混合键合凉K海

业内判断，力士

7月6日消息，急刹不过混合键合的研发并未停滞。

混合键合技术在下一代HBM上的全面应用可能比预期进一步延迟。行业分析师指出，然而，以实现下一代高带宽存储器方面正面临日益严峻的挑战。厚度标准松动后，可从堆叠内部带走热量。三星电子与SK海力士在引入混合键合技术，即使到HBM5也可能暂不采用。三星开发了HPB热通道模块，12层产品仍极有可能被用作主流产品。即使到HBM4E阶段，

若未来HBM5E阶段I/O进一步翻倍至4096个，称可较现有产品降低超过30%热阻。短期内混合键合不会大规模部署，据报道，混合键合的无凸点减薄优势不再紧迫。但中长期当I/O密度再次爆炸时仍是发展方向。现有TC热压合工艺将因凸点横向扩散而难以支撑，